- Code commande RS:
- 210-5006
- Référence fabricant:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,869 €
HT
1,043 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
3000 + | 0,869 € | 2 607,00 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 210-5006
- Référence fabricant:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET Vishay à canal N 100 V (D-S) est doté d'un boîtier PowerPAK SO-8.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV
Très faible valeur de mérite RDS x Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible champ d'exploration RDS x Qoss
Testé à 100 % Rg et ISU
Très faible valeur de mérite RDS x Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible champ d'exploration RDS x Qoss
Testé à 100 % Rg et ISU
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 67,5 A |
Tension Drain Source maximum | 100 V |
Type de boîtier | PowerPak SO-8 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 8 |
Résistance Drain Source maximum | 0,0069 Ω |
Tension de seuil maximale de la grille | 1 → 2.3V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
- Code commande RS:
- 210-5006
- Référence fabricant:
- SiR882BDP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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