MOSFET P Vishay 8 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP SQ3495EV
- Code commande RS:
- 210-5026
- Référence fabricant:
- SQ3495EV-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
8,38 €
HT
10,06 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 6 280 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,419 € | 8,38 € |
| 200 - 480 | 0,399 € | 7,98 € |
| 500 - 980 | 0,357 € | 7,14 € |
| 1000 - 1980 | 0,256 € | 5,12 € |
| 2000 + | 0,223 € | 4,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 210-5026
- Référence fabricant:
- SQ3495EV-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Série | SQ3495EV | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 5W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Série SQ3495EV | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 5W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Vishay Automotive à canal P 30 V (D-S) 175 °C est doté d'un type de boîtier TSOP-6 avec une configuration simple.
Certifié AEC-Q101
Testé à 100 % Rg et ISU
Conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 8 A 30 V Enrichissement TSOP SQ3495EV
- MOSFETs simples P Vishay 7.5 A -30 V Enrichissement TSOP-6 SQ3481CEV AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 8 A 20 V Enrichissement TSOP SQ3493EV
- MOSFET P Vishay -5.3 A -60 V Enrichissement TSOP-6 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay -8 A -20 V Enrichissement TSOP-6 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay -8 A -12 V Enrichissement TSOP-6 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 7.8 A 30 V Enrichissement TSOP-6 SQ AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 7.4 A 40 V Enrichissement TSOP-6 SQ Rugged AEC-Q101
