MOSFET N STMicroelectronics 12 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252
- Code commande RS:
- 210-8742P
- Référence fabricant:
- STD15N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,152 € |
| 100 - 245 | 1,684 € |
| 250 - 995 | 1,652 € |
| 1000 + | 1,228 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 210-8742P
- Référence fabricant:
- STD15N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 338mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 338mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide Mesh DM6. Par rapport à la génération rapide Mesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protégé contre les Zener