MOSFET canal N STMicroelectronics 72 A 650 V, 4 broches, TO-247-4
- Code commande RS:
- 210-8749P
- Référence fabricant:
- STW68N65DM6-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 210-8749P
- Référence fabricant:
- STW68N65DM6-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 72A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247-4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 39mΩ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 72A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247-4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 39mΩ | ||
Le MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide Mesh DM6. Par rapport à la génération Mesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs de décalage de phase ZVS.
Conçu pour les applications automobiles
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
100 % testé contre les avalanches
Robusteté dv/dt extrêmement élevée
Excellentes performances de commutation grâce à la broche source d'entraînement supplémentaire
Protégé par Zener