MOSFET canal N STMicroelectronics 72 A 650 V, 4 broches, TO-247-4
- Code commande RS:
- 210-8749P
- Référence fabricant:
- STW68N65DM6-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 210-8749P
- Référence fabricant:
- STW68N65DM6-4AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 72 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 650 V | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Type de Boitier | TO-247-4 | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 39 mΩ | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 72 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 650 V | ||
Nombre de broches 4 | ||
Type de Boitier TO-247-4 | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 39 mΩ | ||
Type de montage Traversant | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.
Designed for automotive applications
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
Zener-protected