MOSFET N DiodesZetex 2.7 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 DMN3061SW AEC-Q101
- Code commande RS:
- 213-9179
- Référence fabricant:
- DMN3061SW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*
520,00 €
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620,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,052 € | 520,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 213-9179
- Référence fabricant:
- DMN3061SW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-323 | |
| Série | DMN3061SW | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.65W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-323 | ||
Série DMN3061SW | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.65W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La série DiodesZetex DMN3061SW est un transistor MOSFET à canal N. Il est utilisé dans les commutateurs d'interface à usage général, les fonctions de gestion de l'alimentation et les commutateurs analogiques.
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
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