MOSFET canal N DiodesZetex 380 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 DMN61D9U AEC-Q101
- Code commande RS:
- 213-9193
- Référence fabricant:
- DMN61D9UT-7
- Marque:
- DiodesZetex
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- Code commande RS:
- 213-9193
- Référence fabricant:
- DMN61D9UT-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 380mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | DMN61D9U | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 540mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3mm | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 380mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série DMN61D9U | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 540mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3mm | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET série DiodesZetex DMN61D9U est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, maintenir des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
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