MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 650 V, 5 broches SCTL90N
- Code commande RS:
- 219-4226P
- Référence fabricant:
- SCTL90N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 219-4226P
- Référence fabricant:
- SCTL90N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 40 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 650 V | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Série | SCTL90N | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.24 Ω | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 40 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 650 V | ||
Nombre de broches 5 | ||
Série SCTL90N | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.24 Ω | ||
Type de montage En surface | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances
Source sensing pin for increased efficiency