MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 40 V, 8 broches, PowerFLAT STL260N
- Code commande RS:
- 219-4229
- Référence fabricant:
- STL260N4LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
4 677,00 €
HT
5 613,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,559 € | 4 677,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-4229
- Référence fabricant:
- STL260N4LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | STL260N | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 188W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Largeur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série STL260N | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 188W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 6mm | ||
Largeur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Parmi les RDS(on) les plus faibles sur le marché
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