MOSFET N STMicroelectronics 120 A 40 V, 8 broches, PowerFLAT STL260N
- Code commande RS:
- 219-4229
- Référence fabricant:
- STL260N4LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
4 704,00 €
HT
5 646,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,568 € | 4 704,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-4229
- Référence fabricant:
- STL260N4LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL260N | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 188W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL260N | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 188W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Parmi les RDS(on) les plus faibles sur le marché
Excellent FoM (valeur de mérite)
Faible rapport CRSS/Ciss pour l'immunité IEM
Robustesse à avalanche élevée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 120 A 40 V PowerFLAT STL260N
- MOSFET N STMicroelectronics 290 A 40 V PowerFLAT STL
- MOSFET N STMicroelectronics 304 A 40 V PowerFLAT STL
- MOSFET STMicroelectronics 103 A 40 V PowerFLAT STL
- MOSFET N STMicroelectronics 120 A 80 V PowerFLAT STL1 AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 350 A 40 V PowerFLAT STL
- Mosfet canal N N STMicroelectronics 154 A 40 V PowerFLAT STL
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 203 A 40 V PowerFLAT STL
