MOSFET 2 canal Type P Double ROHM 5 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TSMT Non
- Code commande RS:
- 223-6205P
- Référence fabricant:
- QH8JB5TCR
- Marque:
- ROHM
Sous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*
32,60 €
HT
39,10 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 05 novembre 2027
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,652 € |
| 100 - 240 | 0,493 € |
| 250 - 990 | 0,482 € |
| 1000 + | 0,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 223-6205P
- Référence fabricant:
- QH8JB5TCR
- Marque:
- ROHM
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TSMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.41Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Hauteur | 850μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.8mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TSMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.41Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Hauteur 850μm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.8mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
