MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK
- Code commande RS:
- 224-9999P
- Référence fabricant:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 224-9999P
- Référence fabricant:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 67mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Tension directe Vf | 3.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 15.25mm | |
| Largeur | 4.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 67mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Tension directe Vf 3.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 15.25mm | ||
Largeur 4.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
Broche de détection de source pour plus de rendement