MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 STH200
- Code commande RS:
- 234-8896P
- Référence fabricant:
- STH200N10WF7-2
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 100 de plus pour économiser 1%
Consulter les options de prix de grosSous-total 10 unités (conditionné une bande continue)*
43,30 €
HT
52,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 868 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 10 - 99 | 4,33 € | - |
| 100 - 249 | 4,25 € | 1% |
| 250 - 499 | 4,18 € | 3% |
| 500 + | 4,08 € | 5% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 234-8896P
- Référence fabricant:
- STH200N10WF7-2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 180A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Série | STH200 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 93nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 340W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 180A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Série STH200 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 93nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 340W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure améliorée de grille en tranchée qui augmente la capacité de résistance en mode linéaire et fournit une plus grande SOA combinée à une très faible résistance à l'état passant. Le transistor MOSFET résultant garantit le meilleur compromis entre le mode linéaire et les opérations de commutation.
Meilleure capacité SOA de sa catégorie
Capacité à supporter des surintensités
Très faible résistance à l'état passant