MOSFET canal N STMicroelectronics 36 A 600 V, 7 broches, HU3PAK STHU47 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 234-8901P
- Référence fabricant:
- STHU47N60DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 99 | 5,74 € |
| 100 - 249 | 5,62 € |
| 250 - 499 | 5,51 € |
| 500 + | 5,41 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 234-8901P
- Référence fabricant:
- STHU47N60DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 36A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Série | STHU47 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 80mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 36A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Série STHU47 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 80mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET de puissance haute tension à canal N de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone, avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Qualifié AEC-Q101
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par surface par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testée à 100% en avalanche