MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V, 3 broches, TO-220

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
235-5448
Référence fabricant:
STP150N10F7AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.2mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

127nC

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Température de jonction de 175 °C.

Niveau standard VGS(TH)

Conçu pour les applications automobiles

Indice d'avalanche de 100 %

Applications


Applications de commutation

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