MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-5530
- Référence fabricant:
- SCTW60N120G2
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 239-5530
- Référence fabricant:
- SCTW60N120G2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 73mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 94nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 389W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 18V | |
| Tension directe Vf | 3V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 5mm | |
| Longueur | 34.8mm | |
| Largeur | 15.6mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 73mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 94nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 389W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 18V | ||
Tension directe Vf 3V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 5mm | ||
Longueur 34.8mm | ||
Largeur 15.6mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction. Il peut être utilisé dans l'alimentation à découpage, les convertisseurs c.c.-c.c. et la commande de moteur industrielle.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement
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