MOSFET N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-5530
- Référence fabricant:
- SCTW60N120G2
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
23,08 €
HT
27,70 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 265 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 23,08 € |
| 2 - 4 | 22,79 € |
| 5 + | 22,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 239-5530
- Référence fabricant:
- SCTW60N120G2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 73mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 94nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 389W | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | UL | |
| Longueur | 34.8mm | |
| Hauteur | 5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 73mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 94nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 389W | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations UL | ||
Longueur 34.8mm | ||
Hauteur 5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction. Il peut être utilisé dans l'alimentation à découpage, les convertisseurs c.c.-c.c. et la commande de moteur industrielle.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement Hip-247 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement Hip-247 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 56 A 1200 V Enrichissement Hip-247 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement Hip-247-4 SCT AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 56 A 1200 V Enrichissement Hip-247-4 Sct
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 12 A 1200 V Épuisement Hip-247 SCT AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement HIP-247-3 SCT AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 110 A 900 V Enrichissement HIP-247-3 Sct AEC-Q101