MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-5544P
- Référence fabricant:
- STP80N240K6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 20 | 5,062 € |
| 25 - 45 | 4,556 € |
| 50 + | 4,528 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 239-5544P
- Référence fabricant:
- STP80N240K6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | STP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série STP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Longueur 28.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime basée sur une expérience STMicroelectronics de 20 ans sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement. Ce transistor MOSFET est recommandé pour les applications basées sur la topologie Flyback, telles que l'éclairage à LED, les chargeurs et les adaptateurs. Fournit une plus grande densité de puissance réduisant le coût et la taille de la carte.
Meilleure zone RDS(on) x dans le monde entier
Meilleur FOM (valeur de mérite) dans le monde entier
Très faible charge de grille
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener