MOSFET Microchip canal N, TO-92 150 mA 250 V, 3 broches

La série Microchip TN5325 de transistor à faible seuil et mode d'amélioration (normalement désactivé) utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de grille en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur.

Seuil bas de 2 V maximum
Impédance d'entrée et gain élevés
Temps de montée de 15 ns
Temporisation de mise hors tension de 25 ns
Temps de chute de 25 ns