MOSFET STMicroelectronics canal N, TO247-4 37 A 650 V, 4 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.

Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) faible par zone par rapport à la génération précédente
Charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testées à 100 % d'avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protection Zener