MOSFET canal N Microchip 46 A 1.2 kV, TO-247 MSC040SMA120B
- Code commande RS:
- 241-9264
- Référence fabricant:
- MSC040SMA120B
- Marque:
- Microchip
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 241-9264
- Référence fabricant:
- MSC040SMA120B
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MSC040SMA120B | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 137nC | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MSC040SMA120B | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 137nC | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La gamme de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium Microchip de Micro semi augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET et IGBT de silicium, tout en réduisant le coût total de possession pour les applications haute tension.
Faibles capacités et faible charge de grille
Vitesse de commutation rapide grâce à la faible résistance interne de grille
Fonctionnement stable à haute température de jonction TJ(max) égale à 175 °C
Diode de corps rapide et fiable
Résistance avalanche supérieure
Conforme à la directive RoHS
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