MOSFET Nexperia canal N, LFPAK88 500 A 40 V, 4 broches

Transistor MOSFET à mode d'amélioration à canal N de Nexperia dans un boîtier LFPAK88 avec un courant continu de 500 A, entraînement de grille de niveau standard. La famille Next Power S3 qui utilise la technologie « Schottky Plus » unique de Nexperia offre un haut rendement et des performances à faible chute généralement associées aux transistors MOSFET avec une diode Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. Next Power S3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à hautes fréquences de commutation, ainsi qu'à la commutation sûre et fiable à courant de charge élevé.

Fixation de la puce par clipsage et soudage en cuivre pour une inductance et une résistance réduites du boîtier et une valeur ID (max) élevée
Remplacement idéal du D2PAK et des boîtiers sans plomb de 10 x 12 mm
Qualifié à 175 °C
Répond aux exigences UL2595 en matière de lignes de fuite et de dégagement
Calibré par avalanche, testé à 100 %
Faible QG, QGD et QOSS pour un rendement élevé, en particulier à des fréquences de commutation plus élevées
Commutation ultrarapide avec récupération douce de la diode de corps pour un faible niveau de pics et d'oscillations, recommandé pour les conceptions à faible EMI

Commande de moteur à courant continu sans balai
Redresseur synchrone dans les applications c.a.-c.c. de forte puissance, par exemple les alimentations de serveurs
Protection de la batterie et systèmes de gestion de la batterie (BMS)
eFuse et interrupteur de charge
Gestion du courant de démarrage/de pointe