MOSFET DiodesZetex canal P, U-DFN2020 7,5 A 20 V, 6 broches

DiodesZetex propose un MOSFET en mode d'enrichissement à canal P, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN2020-6 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.

La tension maximale drain-source est de 20 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±8 V. Son empreinte sur circuit imprimé est de 4 mm². Il offre une faible tension de seuil de grille. Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.