MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 56 A 600 V, 3 broches

Le produit de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie la plus innovante de super jonction MDmesh DM9, adapté pour les transistors MOSFET à moyenne ou haute tension avec un très faible RDS par zone couplé avec une diode de récupération rapide. La technologie DM9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à plusieurs drains qui permet d'améliorer la structure du dispositif. La diode de récupération rapide, qui présente une charge, un temps de récupération et un RDS activé très faibles, fait de ce MOSFET de puissance à super jonction et à commutation rapide un produit adapté aux topologies de pont à haut rendement et aux convertisseurs à déphasage ZVS les plus exigeants.

Diode de corps à récupération rapide
Meilleur RDS par zone au monde parmi les dispositifs à récupération rapide à base de silicium
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testée à 100 % en avalanche
Robustesse extrême en dv/dt