MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 248-9689P
- Référence fabricant:
- STP65N045M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 248-9689P
- Référence fabricant:
- STP65N045M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | STP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 245W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série STP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 245W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.4mm | ||
Longueur 28.9mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le produit de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie la plus innovante de super jonction MDmesh DM9, adapté pour les transistors MOSFET à moyenne ou haute tension avec un très faible RDS par zone couplé avec une diode de récupération rapide. La technologie DM9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à plusieurs drains qui permet d'améliorer la structure du dispositif. Le produit obtenu présente l'une des plus basses valeurs de résistance à la mise sous tension et de charge de grille réduite parmi tous les transistors MOSFET de puissance à super jonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.
Meilleur FOM RDS sur Qg au monde parmi les dispositifs à base de silicium
Classe VDSS supérieure
Capacité dv/dt supérieure
Excellentes performances de commutation
Facile à piloter
Testé à 100% en avalanche