MOSFET Microchip canal N, TO-247 41 A 3300 V

La gamme de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) de Microship augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET en silicium et IGBT en silicium tout en abaissant le coût total de propriété pour les applications haute tension. Le dispositif est un transistor MOSFET SiC 3.300 V, 80 mΩ dans un boîtier TO-247 à 4 fils avec détection de source. Il offre de faibles capacités et une charge de grille faible avec une vitesse de commutation rapide grâce à une faible résistance de grille interne (ESR). Il permet un fonctionnement stable à une température de jonction élevée, TJ (max.) de 150 °C. Il s'agit d'une diode de corps rapide et fiable avec une résistance aux avalanches supérieure.

Haut rendement pour permettre un système plus léger et plus compact
Simple à piloter et facile à paralléliser
Capacités thermiques améliorées et moins de pertes de commutation