MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 35 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STD AEC-Q101
- Code commande RS:
- 249-6745P
- Référence fabricant:
- STD80N240K6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 99 | 3,58 € |
| 100 - 499 | 2,81 € |
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- Code commande RS:
- 249-6745P
- Référence fabricant:
- STD80N240K6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 35V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | STD | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.01mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 70W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 35V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série STD | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.01mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 70W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 6.6mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Longueur 10.1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET de puissance à canal N à très haute tension de STMicroelectronics est conçu en utilisant la technologie ultime de la maille K6 basée sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance à l'enclenchement par surface et charge de grille de sa catégorie pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un rendement élevé.
Meilleur RDS(on) x surface au monde
Meilleur FOM (facteur de mérite) au monde
Charge de grille ultra faible
Testé à 100% en avalanche
Protégé par Zener