MOSFET N Vishay 43.4 A 60 V Épuisement, 8 broches, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 252-0280
- Référence fabricant:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 245 | 1,636 € | 8,18 € |
| 250 - 495 | 1,48 € | 7,40 € |
| 500 - 1245 | 1,392 € | 6,96 € |
| 1250 + | 1,306 € | 6,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 252-0280
- Référence fabricant:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 43.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.01mΩ | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 43.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.01mΩ | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La gamme de produits MOSFET Siliconix de Vishay inclut une gamme diversifiée de technologies avancées. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. Il s'agit d'un type de canal plus répandu. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à la borne de grille.
MOSFET de puissance TrenchFET Gen V
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