MOSFET canal N ROHM 95 A 40 V Enrichissement, HSMT-8 RH6G040BG AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
252-3153P
Référence fabricant:
RH6G040BGTB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

95A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

RH6G040BG

Type de Boitier

HSMT-8

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Rohms propose une série RH de MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'état passant et adapté pour la commutation. Il est sans halogène avec 100 % Rg et testé UIS avec une tension d'entrée de 40 V.

Plage de températures de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 à +150 °C

Montage sur une carte Cu

Le courant de drain est de 95 A

La dissipation de puissance est de 59 W

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