MOSFET N ROHM 40 A 100 V Enrichissement, HSMT-8 RH6P040BH AEC-Q101

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Unité
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50 - 901,429 €
100 - 2401,166 €
250 - 9901,145 €
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Code commande RS:
252-3155P
Référence fabricant:
RH6P040BHTB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

RH6P040BH

Type de Boitier

HSMT-8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.7nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, Pb Free

Standard automobile

AEC-Q101

Rohms propose une série RH de MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'état passant et adapté pour la commutation. Il est sans halogène avec 100 % Rg et testé UIS avec une tension d'entrée de 100 V.

Plage de températures de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 à +150 °C

Montage sur une carte Cu

Le courant de drain est de 40 A

La dissipation de puissance est de 59 W