MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 9,2 A 100 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 W.

Valeur nominale dynamique dV/dt
Résistant aux avalanches répétitives
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Facilité de parallélisation
Exigences d'entraînement simples