MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 4,7 A 900 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le boîtier TO-247AC est préféré pour les applications commerciales et industrielles où des niveaux de puissance plus élevés empêchent l'utilisation de dispositifs TO-220AB.

Valeur nominale dV/dt dynamique
Résistant aux avalanches répétitives
Orifice de montage central isolé
Commutation rapide
Facilité de parallélisation
Exigences d'entraînement simples