MOSFET Vishay canal N, TO-220 FULLPAK 8 A 60 V

Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournissent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le TO-220 FULLPAK élimine le besoin de matériel d'isolation supplémentaire dans les applications commerciales et industrielles. Le composé de moulage utilisé fournit une haute capacité d'isolation et une faible résistance thermique entre la languette et le dissipateur externe. Cette isolation est équivalente à l'utilisation d'une barrière en mica de 100 microns avec un produit TO-220 standard. Le FULLPAK est monté sur un dissipateur à l'aide d'un seul clip ou par une seule fixation à vis.

Boîtier isolé
L'isolation haute tension est de 2,5 kVrms
La distance de fuite entre l'évier et le câble est de 4,8 mm
Driver de grille de niveau logique
Le RDS spécifié à VGS est de 4 V et 5 V
Commutation rapide
Facilité de parallélisation