MOSFET Vishay canal N, WL-CSP 6.3 A 8 V

Le canal N Vishay Semiconductor 8 V 6,3 A (Ta) 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc) est à montage en surface avec un type de boîtier de 4 micropieds et ses applications sont l'informatique mobile, les smartphones et les tablettes PC.

MOSFET de puissance TrenchFET
Faible résistance à la mise sous tension
Contour maximum ultra-compact de 1,6 mm x 1,6 mm
Hauteur maximale ultra-mince de 0,6 mm