- Code commande RS:
- 256-7433
- Référence fabricant:
- SIRA18DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,494 €
HT
0,593 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
25 - 25 | 0,494 € | 12,35 € |
50 - 75 | 0,484 € | 12,10 € |
100 - 225 | 0,37 € | 9,25 € |
250 - 975 | 0,362 € | 9,05 € |
1000 + | 0,225 € | 5,625 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 256-7433
- Référence fabricant:
- SIRA18DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Les applications du mOSFET à canal N de Vishay Semiconductor sont les suivantes : c.c., conversion c.c., protection des batteries, commutation de charge et inverseurs c.c., c.a.
MOSFET de puissance TrenchFET gen IV
Testé 100 % Rg et UIS
Faible Qg pour un haut rendement
Testé 100 % Rg et UIS
Faible Qg pour un haut rendement
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 33 A |
Tension Drain Source maximum | 30 V |
Type de boîtier | PowerPAK SO-8 |
Type de montage | CMS |
- Code commande RS:
- 256-7433
- Référence fabricant:
- SIRA18DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay