MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 261-4760P
- Référence fabricant:
- STP65N150M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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- Code commande RS:
- 261-4760P
- Référence fabricant:
- STP65N150M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 150mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 150mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 28.9mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance à canal N MDmesh M9 de 650 V, de 128 mOhm typique et de 20 A dans un boîtier TO-220
Ce transistor MOSFET de puissance à canal N est basé sur la technologie MDmesh M9 à super-connexion la plus innovante, adaptée aux transistors MOSFET moyenne/haute tension avec un très faible RDS(on) par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de circuit améliorée. Ce transistor est doté de l'une des plus basses valeurs de résistance à la mise sous tension et de charge de grille parmi tous les transistors MOSFET de puissance, à super-jonction et à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.