MOSFET Renesas Electronics canal N, TO 100 A 60 V

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Documentation technique

Le MOSFET de Renesas Electronics est un transistor à effet de champ MOS à canal N conçu pour les applications de commutation à courant élevé.

Faible résistance à l'état passant RDS (marche) 4,6 mΩ
ID (c.c.) de courant élevé -100 à +100 A
Conforme à la directive RoHS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	100 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	TO
Type de montage	CMS