MOSFET canal N ROHM 0.25 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 RK7002BM
- Code commande RS:
- 264-3822P
- Référence fabricant:
- RK7002BMT116
- Marque:
- ROHM
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|---|---|
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| 250 - 450 | 0,044 € |
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- Code commande RS:
- 264-3822P
- Référence fabricant:
- RK7002BMT116
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | RK7002BM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série RK7002BM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Les transistors MOSFET de la marque ROHM sont dotés d'une résistance à la mise sous tension ultra-faible grâce aux technologies de microtraitement adaptées aux équipements mobiles à faible consommation de courant. Dans une large gamme comprenant le type compact, le type haute puissance et le type complexe pour répondre au marché.
Type d'entraînement de 2,5 V
Transistor MOSFET à faible signal à canal N
Petit boîtier à montage en surface