MOSFET P ROHM -2.5 A 30 V Enrichissement, 6 broches, SOT-457 RSQ025P03HZG
- Code commande RS:
- 264-3835P
- Référence fabricant:
- RSQ025P03HZGTR
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*
30,50 €
HT
36,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 990 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,61 € |
| 100 - 240 | 0,476 € |
| 250 - 990 | 0,467 € |
| 1000 + | 0,365 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-3835P
- Référence fabricant:
- RSQ025P03HZGTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | RSQ025P03HZG | |
| Type de Boitier | SOT-457 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.25W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série RSQ025P03HZG | ||
Type de Boitier SOT-457 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un produit hautement fiable de classe automobile certifié AEC-Q101. Il s'agit d'un petit boîtier à montage en surface et d'un placage en plomb sans plomb et conforme à la directive RoHS.
Faible résistance à l'état passant
Diode de protection G-S intégrée