MOSFET canal N Microchip 4 A 400 V MOSFET, 3 broches, TO-252
- Code commande RS:
- 264-8923P
- Référence fabricant:
- TN2640K4-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 98 | 2,155 € |
| 100 - 248 | 1,93 € |
| 250 - 998 | 1,895 € |
| 1000 + | 1,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-8923P
- Référence fabricant:
- TN2640K4-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Mode de canal | MOSFET | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Mode de canal MOSFET | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET canal N de Microchip en mode d'amélioration à faible seuil (normalement hors tension) utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de porte en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification, dans lesquelles une très basse tension de seuil, une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des commutations rapides sont souhaitées.
Seuil bas (2 V max.)
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Sans coupure secondaire
Faible fuite d'entrée et de sortie