MOSFET Microchip canal P, SOT-23 350 V

Transistor MOSFET canal P de Microchip à faible seuil, en mode d'amélioration (normalement hors tension) utilisant une structure DMOS verticale avancée et un processus de fabrication de porte en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées.

Impédance d'entrée élevée et gain élevé
Faible consommation d'entraînement requise
Simplicité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode source-drain intégrée
Sans coupure secondaire