MOSFET P Microchip -200 mA 350 V MOSFET, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 264-8932P
- Référence fabricant:
- TP5335K1-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,556 € |
| 100 - 240 | 0,432 € |
| 250 - 990 | 0,424 € |
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- Code commande RS:
- 264-8932P
- Référence fabricant:
- TP5335K1-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -200mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 350V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Mode de canal | MOSFET | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -200mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 350V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Mode de canal MOSFET | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET canal P de Microchip à faible seuil, en mode d'amélioration (normalement hors tension) utilisant une structure DMOS verticale avancée et un processus de fabrication de porte en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées.
Impédance d'entrée élevée et gain élevé
Faible consommation d'entraînement requise
Simplicité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode source-drain intégrée
Sans coupure secondaire