MOSFET STMicroelectronics 15 A 750 V Enrichissement, 4 broches, Bobine G-HEMT
- Code commande RS:
- 265-1035P
- Référence fabricant:
- SGT120R65AL
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 20 unités (conditionné une bande continue)*
25,90 €
HT
31,08 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 10 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 20 - 48 | 1,295 € |
| 50 - 198 | 1,265 € |
| 200 + | 1,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 265-1035P
- Référence fabricant:
- SGT120R65AL
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Série | G-HEMT | |
| Type de Boitier | Bobine | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Série G-HEMT | ||
Type de Boitier Bobine | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor PowerGaN e-mode de STMicroelectronics est associé à une technologie d'emballage bien établie. Le dispositif G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultra-rapide pour permettre une haute densité de puissance et des performances de rendement imbattables.
Mode d'amélioration normalement hors tension du transistor
Très haute vitesse de commutation
Capacité de gestion de puissance élevée
Capacités extrêmement faibles
Plateau de source Kelvin pour une commande de grille optimale
Charge de récupération inverse nulle