MOSFET canal N ROHM 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 R6013VND3 NaN
- Code commande RS:
- 265-5415P
- Référence fabricant:
- R6013VND3TL1
- Marque:
- ROHM
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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- Code commande RS:
- 265-5415P
- Référence fabricant:
- R6013VND3TL1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | R6013VND3 NaN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.3Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 131W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS NaN | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série R6013VND3 NaN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.3Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 131W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 21nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS NaN | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance de ROHM avec une faible résistance à l'état passant et un boîtier de haute puissance qui convient aux circuits de commutation, aux applications de batterie à cellule unique et aux applications mobiles.
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