MOSFET Vishay canal N, TO-263 35 A 600 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 268-8289
- Référence fabricant:
- SIHB080N60E-GE3
- Marque:
- Vishay
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en tube de 50)
3,84 €
HT
4,61 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,84 € | 192,00 € |
| 100 - 450 | 3,146 € | 157,30 € |
| 500 - 950 | 2,68 € | 134,00 € |
| 1000 + | 2,418 € | 120,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 268-8289
- Référence fabricant:
- SIHB080N60E-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance Vishay avec diode de corps rapide et technologie série E de 4e génération réduit les pertes de commutation et de conduction et est utilisé dans des applications telles que les alimentations à découpage, les alimentations de serveur et les soupapes de correction de facteur de puissance.
Faible capacité efficace
Indice d'énergie d'avalanche
Faible chiffre de mérite
Indice d'énergie d'avalanche
Faible chiffre de mérite
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 35 A |
| Tension Drain Source maximum | 600 V |
| Type de boîtier | TO-263 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Matériau du transistor | Silicium |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
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