MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 40 V Enrichissement, 4 broches, ECOPACK STL
- Code commande RS:
- 273-5100P
- Référence fabricant:
- STL260N4F7
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 20 - 98 | 2,21 € | - |
| 100 - 198 | 1,68 € | 53,00 € |
| 200 + | 1,505 € | 141,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5100P
- Référence fabricant:
- STL260N4F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | STL | |
| Type de Boitier | ECOPACK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 188W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 72nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série STL | ||
Type de Boitier ECOPACK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 188W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui se traduit par une très faible résistance à l'état sous tension, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Certifié AEC-Q101
Excellent FoM
Haute robustesse contre les avalanches