MOSFET N Vishay 192 A 30 V Enrichissement, 8 broches, 1212-8SLW SQS AEC-Q101

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Code commande RS:
280-0030
Référence fabricant:
SQS120ELNW-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

192A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SQS

Type de Boitier

1212-8SLW

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0033Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.82V

Dissipation de puissance maximum Pd

119W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

88nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Longueur

3.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET automobile de Vishay est un MOSFET à canal N et le transistor qu'il contient est constitué d'un matériau appelé silicium.

MOSFET de puissance TrenchFET

100 % testé Rg et UIS

Certifié AEC-Q101

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