MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

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Code commande RS:
419-2197P
Référence fabricant:
STP12NM50
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

350mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Dissipation de puissance maximum Pd

160W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

9.15mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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