MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH
- Code commande RS:
- 485-7636
- Référence fabricant:
- STP3NK90Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
12,72 €
HT
15,27 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 45 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 95 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,544 € | 12,72 € |
| 50 - 120 | 2,192 € | 10,96 € |
| 125 + | 1,72 € | 8,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 485-7636
- Référence fabricant:
- STP3NK90Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 900V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | MDmesh, SuperMESH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 90W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 9.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 900V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série MDmesh, SuperMESH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 90W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 4.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 9.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 900 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 2.1 A 900 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 8 A 900 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 900 V Enrichissement TO-252 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 9.2 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 5.8 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 900 V Enrichissement TO-247 MDmesh, SuperMESH