MOSFET de puissance 2 canal N Isolé STMicroelectronics 4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET Non

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485-8358P
Référence fabricant:
STS4DNF60L
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOIC

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-15V, +15V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Hauteur

1.25mm

Largeur

4mm

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

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