MOSFET N STMicroelectronics 9 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
485-8572
Référence fabricant:
STW10NK80Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

900mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

160W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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