MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

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486-2329P
Référence fabricant:
STP4NK80ZFP
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.3mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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