- Code commande RS:
- 541-0187
- Référence fabricant:
- IRFP450LCPBF
- Marque:
- Vishay
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- 541-0187
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- IRFP450LCPBF
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- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET Vishay à faible puissance de charge permettent une charge de grille nettement plus faible que les transistors MOSFET conventionnels. Grâce à la technologie Advanced Power MOSFET, l'amélioration du dispositif permet de réduire les exigences de commande de grille, d'accélérer la vitesse de commutation et d'augmenter les économies totales du système. Ces améliorations de dispositif combinées à la robustesse et à la fiabilité éprouvées des transistors MOSFET de puissance offrent au concepteur une nouvelle norme en termes de transistors de puissance pour les applications de commutation.
Puissance nominale dV/dt dynamique
Résistance aux avalanches répétitives
Très faible charge de grille
Résistance aux avalanches répétitives
Très faible charge de grille
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 14 A |
Tension Drain Source maximum | 500 V |
Type de boîtier | TO-247AC |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 400 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 190 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Matériau du transistor | Si |
Charge de Grille type @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Largeur | 5.31mm |
Longueur | 15.87mm |
Hauteur | 20.7mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |